浙江
三星電子在下一代高帶寬內存（HBM4）技術領域取得突破性進展，其HBM4芯片的生產良品率已提升至近80%的水平，達到了半導體行業俗稱的“黃金良率”標準。這一成果大幅提升了三星在該領域的市場信心，為其在由SK海力士主導的“AI DRAM”市場中發起反攻奠定了堅實基礎。
據悉，三星于今年2月正式啟動HBM4內存的量產，初期推出的12層堆棧（12-Hi）規格單堆棧容量最高可達36GB，傳輸速率達到11.7至13.0 Gbps。在量產初期，其芯片良品率僅維持在60%左右，但憑借生產流程的加速調優，三星僅用時半年便提前達成了原本預定于年底實現的目標，良品率大幅上升至接近80%，改善速度顯著超出業界預期。
技術細節方面，三星的HBM4芯片采用了1c nm級DRAM制程與4nm邏輯制程，單堆棧帶寬提升至最高3.3 TB/s，未來還將拓展至16層堆棧（16-Hi）及48GB容量。相比前代HBM3E產品，其功耗降低了40%，熱阻改善10%，散熱性能提升了30%。
受益于良品率的躍升，三星已將其第三季度HBM4 DRAM的季度營收目標調高至原本的三倍，并計劃在2026年下半年將其在公司整體HBM產品線中的比重提升至60%以上。此外，針對下一代HBM4E內存，三星的可靠性測試良品率也已提升至70%。
在客戶拓展方面，超威半導體（AMD）已在其最新的Instinct MI400系列AI加速芯片中率先采用三星的HBM4內存解決方案。憑借HBM4及后續HBM4E產品的性能提升，三星目前正在積極爭取英偉達（NVIDIA）等主要客戶的訂單，計劃將其芯片應用于英偉達未來的Rubin Ultra架構平臺以及AMD下一代MI500系列產品中。這次技術良率的突破，標志著三星在人工智能內存領域的競爭格局中正重新占據有利地位。
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