存儲芯片超級周期走到十字路口？

近日，鎧俠、三星、SK海力士、美光等存儲巨頭集體交出了創歷史新高的季度業績，標志著存儲芯片“超級周期”仍維持在高景氣度的運行軌道上。

其中，三星和美光主要業績超出預期，而鎧俠、海力士等部分核心數據低于外界預期。

盡管整體上業績都非常靚麗，但利潤的爆發幾乎全部源自產品漲價的溢出效應，而非出貨量的實質性擴張。與此同時，市場對存儲行業后續的增長動能日趨謹慎，導致股價在業績發布后非但未能獲得提振，反而因“利好出盡”的預期而遭遇大幅殺跌。

這使得本輪存儲超級周期走到了十字路口。接下來存儲市場將會如何走？何時出現拐點？市場到底在擔憂什么？

存儲公司堪稱“印鈔機”，凈利潤增長十倍級

剛剛過去的季度，存儲巨頭交出了堪稱“印鈔”級別的成績單。

7月31日，鎧俠（Kioxia）2026財年第一財季（4-6月）交出了一份堪稱“史詩級”的成績單：營收達1.77萬億日元，同比暴增415.5%；凈利潤高達8422億日元，同比狂飆逾45倍。

業績爆發的核心引擎是AI數據中心對NAND閃存的旺盛需求，推動產品平均售價（ASP）環比大漲約70%，其中面向服務器和企業級的SSD及存儲業務營收同比增長超過440%。

三星電子2026年第二季度營收171.5萬億韓元，較去年同期增長130%；營業利潤89.5萬億韓元，同比暴增1814%。半導體部門（DS）貢獻了全公司99%的利潤。這份業績超出了市場之前的預期。

SK海力士同樣也交出史上最強財報，營業利潤同比增長超5倍，達到60.5萬億韓元；營收同比增長257%，錄得79.3萬億韓元，凈利潤93.9萬億韓元，同比增長1242%。盡管業績已經相當優秀，但海力士的營收和利潤均低于之前市場預期。

一個月前，美光科技給出的第三季業績同樣超過市場預期。期內，實現營收414.6億美元，環比增長73.8%，同比增長345.7%，遠超市場預期的358.4億美元。GAAP（通用會計準則）凈利潤達到282.4億美元，折合每股攤薄收益24.67美元，同比增幅高達1398.3%。

推動存儲芯片營收和利潤高速增長的是全球AI大基建。微軟、谷歌、亞馬遜、Meta等云廠商持續在數據中心領域進行投資，2026年資本開支預期合計超過8000億美元。這些資金大量涌入GPU采購，而GPU必須搭配HBM（高帶寬內存），HBM又與普通DRAM爭奪產能，結果是從服務器到消費電子，幾乎所有存儲芯片都因缺貨而漲價數倍，這快速推高了存儲芯片廠商的利潤。

不過，各廠商的股價卻應聲大幅回撤，并未跟隨利潤起舞。即便各巨頭紛紛拋出對未來市場的樂觀指引，資本市場依然用腳投票，表現出明顯的疑慮。

市場在擔憂什么？

存儲芯片股在7月經歷了劇烈震蕩，SK海力士韓股單月最大回撤54%，三星電子最大回撤42%，美光最大回撤33%。即便公司交出創紀錄的業績，也未能阻止股價大幅回撤。

這背后就不僅是財報業績問題，而是反映了市場的深層憂慮，“存儲的好日子還能持續多久”？

盡管存儲合約價格依然在上漲，但漲價斜率已放緩。第三方機構TrendForce報告顯示，2026年第三季度DRAM與NAND Flash合約價預計分別季增13%-18%和10%-15%，漲幅較前幾季明顯收斂。主因均為消費端需求下修、價格基數已處歷史高位，導致買方承受力達極限；但AI服務器與數據中心建設仍為需求提供核心支撐。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源接受澎湃新聞記者采訪時表示，DRAM供不應求的格局預計延續至2027年，價格漲勢預計延續至2027年下半年。不過，原廠在經歷數季的大幅上漲后，后續價格漲幅仍需考量終端客戶的負擔能力，因此自今年第三季度起，季度環比漲幅預計將明顯放緩。

一位存儲芯片行業人士對澎湃新聞記者表示：“近期存儲芯片廠商對eMMC（嵌入式多媒體存儲卡）價格有所下調，有點卷價格的意思。但DRAM價格還好，FLASH（閃存）價格也有點卷了?！?/p>

他表示，主要原因是兩個方面，一個是客戶囤貨比較多，不缺貨；另外一個是各存儲廠商都有貨。

之前，業界也傳出OPPO于2026年7月下旬正式?拒絕接受三星電子提出的2026年第三季度存儲芯片報價?。但OPPO官方對此沒有表態。

上述這位存儲行業人士表示：“漲價是存儲廠商的策略，不接受是客戶的需求，各家都有自己的策略。”

存儲景氣度能維持多久？他表示，不看長遠，先看到今年年底。

本輪存儲超級周期存儲廠商的利潤幾乎全是“漲出來的”而非“賣多了”，一旦價格出現松動，利潤崩塌的速度同樣會很快。

市場另一個核心分歧點是對存儲芯片長期協議（LTA）的擔憂。一方面，長協議雖然鎖定了價格，但也讓存儲廠商失去了利潤彈性，此外，當市場出現劇烈變化時，長協議往往就會被撕毀，客戶會要求重新談判約定新價格。這些都是有前車之鑒的。

存儲何時見頂的焦慮

近期市場對“見頂”的焦慮感明顯增加，焦慮的核心已不再是單純的“何時見頂”，而是“見頂風險是否正在提前兌現”。這種焦慮情緒推動二級市場賣出存儲芯片，導致存儲股大幅下滑。

澎湃新聞記者觀察到存儲供應鏈人士的看法也趨向謹慎，消費電子廠商已經對存儲漲價出現了抵制情緒。一位手機廠商人士抱怨，存儲漲價榨干了整個行業的利潤，“把祖墳的錢都刨出來給它了”，如此高的價格給手機廠商帶來了極大的挑戰。

不過，即便焦慮升溫，存儲行業的景氣轉折也難以在短期內兌現。TrendForce最新發布的報告認為，人工智能仍將是2027年內存需求的主要驅動力。然而，DRAM和NAND閃存的市場動態預計將會出現分化。

在DRAM方面，HBM產能的持續分配、強勁的AI服務器需求以及CPU內存和HBM采購量的增長，預計將繼續限制供應，并推高價格。相比之下，隨著新的產能上線，NAND閃存預計將在2027年下半年迎來供應較為寬松的時期，而消費電子產品的需求依然疲軟，這將加大價格的下行壓力。

瑞銀認為，二季度業績體現了當前半導體行業產能上行周期的強度與持續性。盡管存儲板塊的許多催化因素已在近幾個月得到體現，但半導體其他細分領域仍存在強勁增長機會。

“在經歷數年資本開支快速擴張后，大型科技公司的支出需求或很快將超過其經營現金流。隨著投資者對更嚴格資本紀律的要求可能上升，我們承認資本開支增速低于預期的風險正在增加。我們也不預計美國超大規模云服務商在未來幾周公布業績時會再次上調資本開支指引。不過，我們認為短期內削減資本開支的可能性同樣較低，因為GPU租賃價格近期重新加速上行，而半導體供應鏈的部分環節仍存在約束。我們預計到2027年，整體AI支出或將升至接近1萬億美元，盡管現階段對其后走勢的可見度仍有限。”瑞銀在報告中如此表示。

華爾街機構Wolfe Research的高級分析師Chris Caso認為，目前實體基礎設施的規模尚不足以觸發“供過于求”周期，典型的芯片周期低谷仍需數年才會到來：“眼下根本沒有足夠的物理空間來制造半導體。本輪上升周期還需要新的基礎設施建設，而這類建設耗時很長，即便要觸及供過于求的局面，最早也得等到2028年?！?/p>

對于DRAM和HBM的供應前景，Caso表示：“存儲芯片供應商目前嚴重受制于供給端限制，無法增加產量，這正是我們看好存儲板塊的根本原因?！?/p>

摩根士丹利也在最新研報中指出，市場目前過于悲觀，真正決定存儲行業景氣度的價格數據并沒有轉弱，反而比市場預期更強。同時，傳統存儲器內部正在出現強烈分化：主流DRAM/NAND漲價節奏不及預期，但DDR4、SLC/MLC NAND以及NOR Flash等傳統利基型產品，正在因供不應求而持續漲價。

摩根士丹利寫道：“我們的判斷是半導體傳統存儲正經歷‘冰火兩重天’，短期機會在利基市場的結構性漲價，而長期需警惕供需逆轉導致的暴跌風險?！?/p>

不過，對于下跌的驅動因素，市場存在不同看法。在上周半導體板塊大跌初期，美國知名經濟評論員吉姆·克雷默（Jim Cramer）就警告稱，投資者要為進一步下跌做好準備，而其理由更多與“誰在賣出”的市場機制有關。

他解釋道，芯片股近日的狀態“很難逆轉”，因為推動這一走勢的賣家“體量巨大、動機明確，而且往往帶有杠桿”。換言之，杠桿正在迫使拋售發生。

盡管存在杠桿拋售壓力，但摩根大通在最新的《資金流與流動性》報告中給出了一個相對積極的判斷：這輪去杠桿可能已經接近尾聲，進一步去杠桿的空間已經明顯變小。摩根大通指出，科技和半導體領域的去杠桿速度明顯快于此前預期，意味著市場最危險的階段或許正在過去，存儲板塊獲得重新定價機會。