漲知識：AMD主板新BIOS翻車？可能是新的內(nèi)存刷新模式?jīng)]選對

最近不少AMD用戶在更新BIOS后遇到了同一個(gè)問題：原本穩(wěn)定運(yùn)行的參數(shù)，在新版本下直接黑屏，連系統(tǒng)都進(jìn)不去。同一套內(nèi)存、同一套時(shí)序，舊BIOS穩(wěn)穩(wěn)當(dāng)當(dāng)用了半年，新BIOS一刷——卡DRAM燈、無限重啟、摳電池才能救回來。甚至有些用戶只是開了個(gè)EXPO，別的什么都沒動(dòng)，照樣翻車。先別慌，問題不在你填的那些參數(shù)上。

這次BIOS更新改動(dòng)了內(nèi)存刷新機(jī)制，導(dǎo)致原本正確的參數(shù)被用錯(cuò)了地方。換句話說，你的參數(shù)沒毛病，是AMD換了一套規(guī)矩——規(guī)矩變了，舊參數(shù)對不上號了。

先搞懂：Bank 和 tRFC 是什么？

說參數(shù)之前，得先搞懂兩個(gè)東西——Bank 和 tRFC，以及兩種刷新方式。

假設(shè)DDR5 內(nèi)存里有 32 個(gè) Bank，你可以把它想象成一棟 8 層樓的辦公樓，每層 4 個(gè)房間，一共 32 間。數(shù)據(jù)就存在這些房間里，而內(nèi)存刷新相當(dāng)于物業(yè)定期上門查電路——確保數(shù)據(jù)不丟。

新方式有兩種。一種是“整棟樓一起查”——32 個(gè)房間同時(shí)斷電，查完再通電。這期間 CPU 要讀寫數(shù)據(jù)？不好意思，排隊(duì)等著。另一種是“每層同查一間”——8 個(gè)樓層同時(shí)各關(guān) 1 間（同一編號的房間），共關(guān) 8 間，其余 24 間照常營業(yè)。顯然，第二種堵得更少，CPU 撞上刷新窗口的概率大幅降低。游戲里那一下突然的卡頓，很多時(shí)候就是 CPU 正好撞上了前者鎖死的窗口。

DDR5 標(biāo)準(zhǔn)給這兩種方式起了名字：整棟一起查叫全 Bank 刷新（REFab），只查一間叫同 Bank 刷新（REFsb）。一個(gè)粗暴省事但阻塞久，一個(gè)精細(xì)靈活但對內(nèi)存控制器的調(diào)度要求高得多。

不同的刷新方式，等待時(shí)間也不一樣——這段等待時(shí)間就是 tRFC。全 Bank 刷新（REFab）因?yàn)椴榈姆块g多，用的值是 tRFC1，數(shù)值也是相對最大的。但 DDR5 還有一個(gè)叫 FGR 的機(jī)制，讓 REFab 以更高頻率、更短窗口執(zhí)行，這時(shí)候 REFab 的等待時(shí)間就用 tRFC2，比 tRFC1 短得多。同 Bank 刷新（REFsb）因?yàn)橹簧婕安糠諦ank，等待時(shí)間最短，對應(yīng) tRFCsb。

舊規(guī)矩 vs 新規(guī)矩：到底變了什么？

以前的 BIOS 沒有這么多選擇。Bank Refresh Mode 就一個(gè)——Normal。內(nèi)存控制器（IMC)只管一種刷新操作：全 Bank 刷新走 tRFC1。你把內(nèi)存插上，開個(gè) EXPO，完事。更新 AGESA 1.2.8.0 之后，這個(gè)選項(xiàng)變成了三個(gè)。

Normal（全 Bank 刷新）——老規(guī)矩，跟以前一模一樣。IMC只走 REFab，只用 tRFC1，tRFC2 和 tRFCsb 一概不讀。最省心，兼容性最好，也是一些大廠官方實(shí)測后推薦的游戲默認(rèn)值。

FGR（細(xì)粒度刷新）——開到這一檔，IMC進(jìn)入 FGR 模式，但只走 REFab。刷新頻率翻倍（tREFI 減半），等待時(shí)間從 tRFC1 切換到更短的 tRFC2，tRFCsb 不生效。相當(dāng)于 FGR 功能的“半開”狀態(tài)。

Mixed（混合刷新）——三種刷新操作全開，也就是 JEDEC 定義的完整 FGR 實(shí)現(xiàn)。IMC 在 FGR 模式下同時(shí)使用 REFab 和 REFsb，tRFC2 和 tRFCsb 都生效，tRFC1 不再參與。

而這次 AGESA 更新改動(dòng)的本質(zhì)，就是一些主板的默認(rèn)選擇從 Normal模式切到了Mixed模式。 以前 IMC 只讀 tRFC1，現(xiàn)在改讀 tRFC2 和 tRFCsb。我們在內(nèi)存監(jiān)測軟件《ZenTimings》中可以看到：同一套參數(shù)，tRFC(ns)可能直接腰斬——我們用同一塊板、同一條內(nèi)存實(shí)測，舊 BIOS Normal 下 tRFC(ns)=409ns，新 BIOS Mixed 下驟降到 219ns。

以前Normal模式是不會(huì)看你tRFC2 和 tRFCsb的數(shù)值的，哪怕這兩個(gè)數(shù)值有問題也不影響你開機(jī)，我們也能看到在該模式下，軟件中tRFC2 和 tRFCsb兩項(xiàng)數(shù)值均為灰色。但是使用了新的Mixed模式，情況變得截然相反，tRFC1的數(shù)值不會(huì)被采用，tRFC2和tRFCsb的數(shù)值將變得至關(guān)重要，如果此時(shí)給的數(shù)值不合理，那你的內(nèi)存自然也就過不了測，進(jìn)不了系統(tǒng)了。

三種模式怎么選？

并不是更新了新東西我們就一定要選。所以給出以下結(jié)論：

更新后用老版參數(shù)黑屏了：清 CMOS → 進(jìn) BIOS → 搜 Bank Refresh Mode → 改成Normal模式

平時(shí)只開EXPO 就不想折騰的：不要多想，就選Normal模式，這是不會(huì)犯錯(cuò)的模式。

手超玩家想沖極限：Mixed模式外加手動(dòng)調(diào)參數(shù)。調(diào)對了綜合表現(xiàn)確實(shí)優(yōu)于 Normal模式，前提是你需要大量的測試和足夠的耐心。

這次刷新模式的改動(dòng)，本質(zhì)上不是為了讓你跑分更高。AMD 的官方公告寫得很明白：目的是修復(fù)“Rowhammer”安全漏洞，刷新機(jī)制改變只是附帶的產(chǎn)物。不管是官方測試還是玩家自己的實(shí)測，三種模式之間的實(shí)際差距都非常小——跑分多個(gè)一兩百分、游戲多個(gè)幾幀，日常用起來根本感覺不到。

上 Mixed模式，參數(shù)給多少合適？

Mixed 模式下 tRFC1 不生效，只需要調(diào)兩個(gè)：tRFC2 和 tRFCsb。

我也找到了目前廣被大家采納的計(jì)算公式：tRFC2 =（內(nèi)存等效頻率 ÷ 2000）× 顆粒最小 tRFC 延遲（ns）

這里面每個(gè)廠商的顆粒最小tRFC延遲都不太一樣，且每個(gè)人手上的顆粒品質(zhì)都有差異，以下數(shù)據(jù)僅為參考：如果你的內(nèi)存是海力士A-Die顆粒，極限點(diǎn)按120ns算差不多了（如此一來計(jì)算公式就是tRFC2 =內(nèi)存等效頻率÷ 2000×120），新老M-die可以按160ns算，而國產(chǎn)顆粒保守點(diǎn)可以比這個(gè)稍高一點(diǎn)算180ns。

tRFCsb ≈ tRFC2 × 0.81，保守起見直接寫成一樣也行。當(dāng)然這是個(gè)理論值，如果你的顆粒品質(zhì)足夠優(yōu)秀可以再壓得低點(diǎn)，能開機(jī)過測就行。

最后說幾個(gè)注意事項(xiàng)

更新 BIOS 前，可以記錄當(dāng)前所有設(shè)置——內(nèi)存參數(shù)、PBO、風(fēng)扇曲線，有些主板BIOS更新 BIOS 這些數(shù)據(jù)會(huì)重置，省得回來折騰。也有些主板BIOS支持直接保存配置文件，清空后再載入，就只需要修改內(nèi)存參數(shù)。

各板廠默認(rèn)值不一樣：例如華碩主板默認(rèn) Mixed模式；技嘉和微星默認(rèn)是Normal模式。更新前先搞清楚自己板子默認(rèn)走哪條路。

調(diào)試參數(shù)，黑屏急救流程：關(guān)機(jī)斷電 → 清CMOS（找不到清CMOS的跳線也可以摳電池等5分鐘） → 裝回開機(jī)按Del鍵進(jìn)BIOS → 修改相應(yīng)參數(shù) → 保存重啟。重復(fù)這一流程到能開機(jī)，然后進(jìn)行內(nèi)存壓力測試，能過測也就說明參數(shù)是可用的。

最后再重申一下，AMD這次更新內(nèi)存刷新模式不是為了提升性能，如果大家電腦用起來沒問題，也不是非要升這個(gè)BIOS不可。當(dāng)然，如果更新了最新BIOS發(fā)現(xiàn)原有的內(nèi)存設(shè)置工作不正常，那就可以根據(jù)我們前面介紹的方法來修改。