浙江
鎧俠（Kioxia）與閃迪（Sandisk）今日聯合對外發布了新一代四層單元（QLC）3D閃存技術。相比于兩家公司上一代的第8代產品，新一代技術實現了高達60%的比特密度提升，密度超越37 Gb/mm2，在存儲密度、傳輸性能以及能效表現上均樹立了行業新標桿。
本次發布的新一代閃存采用了兩家公司核心的CMOS直接鍵合至陣列（CBA）技術。該技術分別在獨立的晶圓上制造CMOS邏輯電路與存儲陣列，隨后通過高精度的晶圓對晶圓對齊技術進行鍵合。得益于這一架構優化，第10代產品顯著提升了讀取與寫入帶寬，并成為全球首款接口速率達到4.8 Gb/s的QLC 3D閃存。
在物理架構與傳輸協議方面，第十代QLC 3D閃存采用了332層設計及優化的版圖布局；在Toggle DDR6.0與獨立命令地址（SCA）協議的加持下，成功釋放了高速接口的潛能。同時，新引入的電源隔離低抽頭終端（PI-LTT）技術有效改善了I/O數據輸出傳輸的功耗表現，直接緩解了現代人工智能及云端基礎設施所面臨的能效與散熱挑戰。
鎧俠首席技術官宮島英史（Hideshi Miyajima）表示，隨著人工智能從生成式AI向智能體AI及物理AI拓展，數據的應用場景正在變得日益多元化與復雜化。QLC技術能夠高效存儲激增的數據量，為AI系統提供更強的性能與擴展性，鎧俠正加速推動第十代QLC閃存產品的商業化進程。
閃迪首席技術官阿爾珀·伊爾克巴哈爾（Alper Ilkbahar）指出，AI訓練、推理及超大規模數據中心的工作負載帶來了前所未有的數據增長壓力，存儲行業亟需提供更大容量、更高性能與更佳能效的解決方案。第十代QLC 3D閃存重新定義了QLC NAND的性能與效率上限，在密度、帶寬和能效上實現了多維度的同步提升，為下一代基礎設施應用奠定了可擴展的基礎。
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