山東
IT之家 8 月 4 日消息，鎧俠株式會社今天宣布與閃迪公司共同推出下一代四層單元（QLC）3D 閃存技術。新產品相比雙方第八代技術，實現最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm2）。
據介紹，第十代 QLC NAND 閃存采用了雙方自主研發的 CMOS 直接鍵合陣列（CBA）技術，可在不同的晶圓上制造 CMOS 邏輯電路、存儲陣列，隨后通過高精度晶圓對晶圓（IT之家注：Wafer-to-Wafer）技術進行鍵合。
相比第八代 3D 閃存，新一代產品進一步提升了讀寫帶寬，成為業界首款接口速率達到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 閃存技術。
此外，鎧俠和閃迪的第十代 QLC 3D 閃存采用 332 層 NAND 堆疊技術，并通過 Toggle DDR6.0、獨立命令地址協議（SCA）提升 60% 位密度。
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