河南
快科技7月30日消息，鎧俠官方今日宣布，已正式開始送樣采用第九代BiCS FLASH技術(shù)的3D閃存芯片，首批型號(hào)為1Tb容量的TLC顆粒。
此次送樣的BiCS9芯片主要針對(duì)中低容量存儲(chǔ)市場，旨在提供更高性能與更優(yōu)能效比的平衡方案，與此前行業(yè)追求極限堆疊層數(shù)不同，鎧俠在此代產(chǎn)品上采取了穩(wěn)健的策略，通過底層架構(gòu)升級(jí)來提升性能表現(xiàn)。
技術(shù)細(xì)節(jié)方面，第九代BiCS FLASH采用了230層存儲(chǔ)陣列，雖然這一堆疊層數(shù)在物理層面上與前代BiCS8系列相近，但其核心電路進(jìn)行了大規(guī)模改進(jìn)，不僅應(yīng)用了與下一代BiCS10相同的CMOS制造技術(shù)，NAND接口速率也一舉拉升至4.8 Gb/s。
這意味著，雖然層數(shù)未見爆發(fā)式增長，但在單位面積下的數(shù)據(jù)吞吐能力和響應(yīng)延遲將有顯著改善，這有助于廠商制造出功耗更低、讀寫響應(yīng)更快的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，尤其是在接口帶寬受限的移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)中表現(xiàn)將更具優(yōu)勢。
鎧俠同時(shí)明確了后續(xù)的技術(shù)路線圖，第十代BiCS FLASH計(jì)劃將陣列層數(shù)進(jìn)一步提升至332層，專注于未來超大規(guī)模的數(shù)據(jù)中心以及高性能服務(wù)器場景，提供更大容量的單芯片解決方案。
目前該產(chǎn)品處于送樣階段，量產(chǎn)時(shí)間、價(jià)格與實(shí)際性能均未披露，采用該閃存的終端產(chǎn)品也尚未公布，其在大規(guī)模生產(chǎn)中的穩(wěn)定性以及對(duì)不同主控芯片的兼容性表現(xiàn)，仍有待后續(xù)觀察。
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