四川
美國銀行最新分析顯示，SK海力士至2028年實際可新增的存儲芯片產能，可能僅為原計劃的六分之一，這一判斷不僅令韓國政府的產能擴張藍圖大打折扣，更為正在進行中的DRAM價格操縱集體訴訟提供了關鍵佐證。
據韓國媒體援引美國銀行近期報告，受舊廠關閉、技術升級及制程微縮等因素影響，韓國每年實際可增加的運營存儲晶圓產能不足10%，這意味著到2030年的產能增量將遠低于韓國總統李在明此前設定的"2030年產能翻倍"目標。存儲芯片行業知情人士進一步指出，SK海力士至2028年新增產能或僅相當于原計劃的六分之一。
這一判斷直接沖擊DRAM市場的供給預期。三星、SK海力士與美光三家公司已于今年6月25日在美國加利福尼亞州聯邦法院遭到集體訴訟，指控三方串謀操縱DRAM價格。分析認為，SK海力士產能擴張嚴重滯后的現實，將進一步削弱三大廠商在訴訟中的抗辯空間。
韓國總統李在明此前積極推介三星與SK海力士分別在該國西南部光州（Gwangju）和全羅（Jeolla）興建的大型晶圓廠，將其作為實現"2030年產能翻倍"目標的核心支撐。美國銀行的分析揭示，這一樂觀預期與現實之間存在巨大落差。
據存儲芯片行業知情人士，僅完成光州和全羅廠區的地基建設就需約五年時間，此后還需三至四年用于潔凈室搭建及芯片制造設備安裝。完整建立兩處廠區的制造生態系統，預計耗時將超過十年。
在考量舊廠因技術升級而關閉所帶來的產能縮減后，韓國每年凈增運營存儲晶圓產能不足10%，累計增幅至2030年將顯著低于政府既定目標。
今年6月25日，三星、SK海力士與美光在加利福尼亞州聯邦法院遭到集體訴訟。訴訟主張代表近期DRAM價格上漲期間購買含商用DRAM產品的消費者及企業群體，指控三家公司憑借其在全球DRAM市場的主導地位，以向AI關鍵高帶寬存儲器（HBM）戰略轉型為由，協調削減DDR3、DDR4等傳統存儲格式的生產，人為推高價格。
美國銀行報告所揭示的產能擴張滯后問題，與上述訴訟的核心邏輯形成呼應。若SK海力士至2028年的新增產能僅為原計劃的六分之一，則"新產能即將大規模入市"的市場敘事將難以成立，這也使三大廠商在訴訟中關于供給受制于客觀因素的抗辯面臨更大壓力。
上述分析進一步強化了存儲芯片供給長期偏緊的判斷。SK海力士首席執行官此前已公開警告，2027年將是存儲行業"有史以來最糟糕的一年"，短缺局面可能延續至2030年代。
對于投資者而言，存儲產能實質性擴張的時間節點被大幅后推，意味著DRAM價格在較長周期內仍將受到供給側制約。集體訴訟的推進走向，將成為影響三星、SK海力士及美光估值與市場預期的重要變量。
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