湖北
2026年7月14日，知名以色列模擬半導體代工廠塔半導體（Tower Semiconductor）正式宣布，在日本政府及經濟產業省（METI）的資金與政策扶持下，公司將啟動并行雙軌產能擴張戰略，全面擴充 300mm 硅光子（SiPho）、硅鍺（SiGe）及先進光學封裝產能，以匹配下游客戶長期需求的高速增長，進一步鞏固其在特色工藝賽道的技術領先地位。
塔半導體首席執行官 Russell Ellwanger 表示：“我們深感榮幸能夠獲得日本政府的認可，由塔半導體主導本次戰略性技術產能擴張。雙方將攜手打造具備全球差異化競爭力的技術卓越中心，以技術領先性、制造精益化與品質可靠性為核心發展支柱。”
他進一步指出，自塔半導體完成對原松下半導體制造業務（現 TPSCo）的多數股權收購以來，本土團隊已充分驗證了將前沿研發成果落地為大規模量產的能力。通過將塔半導體的技術積累與日本本土的制造工藝專長、產學研資源及高素質產業人才深度融合，公司正在搭建支撐未來數十年技術創新與業務增長的戰略產業平臺。
雙軌戰略核心布局詳解
第一軌以快速釋放 300mm 硅光子新增產能為核心，預計 2027 年第四季度實現全線量產就緒。具體規劃包括：將新潟縣原 6 號工廠（荒井工廠）改造為 300mm 硅光子及先進光學封裝一體化平臺，同時最大化挖掘富山縣 7 號工廠（魚津工廠）的 300mm 晶圓產能潛力。
伴隨產能落地，塔半導體同步更新長期業績目標，計劃 2028 年實現 36 億美元總營收與 12 億美元凈利潤的經營目標。
第二軌與第一軌并行推進，待相關合作協議正式簽署后，將在 7 號工廠周邊新建一座全新的 300mm 晶圓制造廠區，投產后預計推動公司硅光子與硅鍺整體產能實現數倍躍升，精準匹配 AI 算力與數據中心場景對下一代高速光連接的爆發式需求。該新廠區預計自 2029 年起開始為公司貢獻顯著營收增量。
本次雙軌擴張計劃總投資規模約 30 億美元，其中包含日本政府提供的約 10 億美元專項贈款，整體項目總事業規模超 6000 億日元。兩座廠區全部建成后，規劃月產能將達到 1.8 萬片 300mm 晶圓，整體產能規模將超過塔半導體當前位于美國的硅光子制造基地。
總結與展望
整體來看，本次雙軌產能擴張是塔半導體全球化產能布局中的關鍵里程碑。通過依托現有廠區設施基礎進行升級改造，有效規避了全新建廠帶來的漫長工藝爬坡與良率提升周期，使得公司能夠快速響應下游客戶的緊迫需求，同時為 2028 年之后的長期持續增長筑牢產能根基。
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