湖北
近日，據(jù)業(yè)內可靠消息來源披露，三星已正式重啟其 1.4 納米（SF1.4）代工工藝的商業(yè)化進程。該公司將該工藝的量產(chǎn)時間節(jié)點調整至2029年，并已全面展開與全球頂尖半導體設備合作伙伴的深度協(xié)同研發(fā)。
此前，三星電子曾計劃在更早節(jié)點推進 1.4 納米工藝落地。然而，為集中資源保障 2 納米（SF2）及 2 納米衍生工藝（SF2P）的核心市場競爭力，公司主動調整了技術路線圖，優(yōu)先聚焦現(xiàn)有尖端工藝的良率穩(wěn)定與性能優(yōu)化。
事實證明，這一 “以質取勝” 的策略已取得階段性顯著成效，核心成果集中在兩大維度。首先是良率突破，2 納米工藝良率已實現(xiàn)穩(wěn)定達標；其次是客戶拓展取得實質性進展，憑借優(yōu)異的工藝綜合表現(xiàn)，三星已成功斬獲特斯拉（Tesla）下一代 AI 芯片的代工訂單。
在2納米節(jié)點取得里程碑式突破后，三星電子正將目光投向更長遠的技術迭代，正式開啟下一代 1.4 納米工藝的研發(fā)攻堅。據(jù)行業(yè)內部消息，三星電子已于近期向應用材料、泛林集團等核心設備合作伙伴同步了詳盡的 1.4 納米工藝技術規(guī)劃，并提出了下一代先進設備的定向定制開發(fā)需求。
所有協(xié)同開發(fā)的新型工藝設備將優(yōu)先交付給三星電子旗下最先進的半導體研發(fā)中心 ——NRD-K。該研發(fā)中心目前已完成ASML 下一代高 NA 極紫外（High-NA EUV）光刻設備的部署進場。高 NA EUV 技術預計將從 1.4 納米工藝節(jié)點起，正式應用于芯片部分核心層的制造。
隨著半導體工藝復雜度呈指數(shù)級上升，三星電子此次提前向全球供應鏈釋放明確的設備規(guī)格需求，旨在為合作伙伴留出充足的研發(fā)與驗證周期，確保設備參數(shù)與工藝要求高度適配。
隨著1.4納米研發(fā)重回快車道，全球晶圓代工三巨頭的尖端技術競賽正進入全新白熱化階段。目前，臺積電計劃于2028年前后實現(xiàn)1.4 納米商業(yè)化量產(chǎn)，英特爾也在全力推進同代際工藝節(jié)點的研發(fā)落地。三星電子憑借逐步企穩(wěn)的良率表現(xiàn)和高 NA EUV 的前置協(xié)同研發(fā)，正加速縮小與頭部競爭對手的技術差距。
此外，三星電子的技術戰(zhàn)略藍圖已同步延伸至存儲領域。據(jù)透露，三星已向設備廠商下達了下一代 V12 NAND 閃存的設備采購需求。V12 NAND 預計將于 2030 年左右進入大規(guī)模量產(chǎn)，該產(chǎn)品將通過全新的多晶圓堆疊結構，實現(xiàn)相較于傳統(tǒng) NAND 閃存跨越式的容量躍升與性能提升。
從整體戰(zhàn)略維度看，三星此番在先進制程上的節(jié)奏調整與前瞻布局，清晰展現(xiàn)出其“筑牢當下、卡位未來”的產(chǎn)業(yè)思路。一方面以成熟穩(wěn)定的2納米工藝搶占當下高端代工市場份額，另一方面提前聯(lián)動供應鏈啟動1.4納米技術攻關，同步在存儲賽道完成下一代NAND的技術鋪墊。
這種雙線并進、長短結合的技術路線，既是頭部半導體企業(yè)應對制程極限挑戰(zhàn)的必然選擇，也將進一步推高全球先進制程的競爭門檻。隨著三巨頭在1.4納米節(jié)點的角逐逐步進入實質階段，全球高端芯片制造的產(chǎn)業(yè)格局，也將伴隨技術迭代的加速迎來新的變量。
小編將在第一時間分享更多相關最新動態(tài)和爆料，敬請關注。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
