上海
SK海力士明確否認正在推進收購英特爾俄亥俄州半導體園區的報道，但該公司赴美建廠的大方向已基本明朗。
韓國《中央日報》7月22日援引匿名知情人士報道稱，SK海力士正與英特爾就收購俄亥俄州半導體園區展開談判，目標是在五年內于美國本土生產存儲芯片。
該報道隨即引發市場廣泛關注。同日，SK海力士發布澄清公告，明確表示"沒有推進或決定收購英特爾俄亥俄州地塊及晶圓廠（Fab）的事實"，但同時承認"持續評估各類投資和收購機會"。
盡管收購傳聞遭到否認，SK海力士擴大美國本土生產布局的壓力仍在持續。該公司財務負責人金宇鉉（???）簽署了上述澄清公告。
報道稱談判進行中，SK海力士予以否認
韓媒報道援引"熟悉SK海力士內部情況的匿名人士"稱，與英特爾的收購談判已進入實質階段，"內部審查和政府審批程序正在推進"，收購金額與時間尚在協商中。
英特爾俄亥俄州園區位于紐阿爾巴尼市，于2022年破土動工，目前已完成混凝土澆筑和鋼結構等主要基礎施工，規劃總面積約404萬平方米，可建設8座晶圓廠，全面開發預計耗資約1000億美元。英特爾原計劃在第一階段投入約280億美元、于2025年完工"Fab 27"和"Fab 28"兩座工廠，但受代工業務客戶拓展不利及資金壓力影響，工廠投產時間已推遲至2030至2031年。
針對上述報道，SK海力士在韓國交易所澄清公告平臺發布聲明，明確否認了收購推進或決策的存在，但措辭留有余地，未排除未來進行相關評估的可能性。
美國施壓在先，赴美建廠方向已定
否認收購傳聞的背景下，SK海力士赴美擴產的戰略意圖已通過高層表態公開確認。SK集團會長崔泰源7月15日在濟州島大韓商工會議所夏季論壇上表示，"目前存儲芯片價格異常偏高，需要擴大供應、壓低價格"，并明確提出"不僅要在湖南，也要在美國建設半導體工廠，現在正在尋找地點，需要盡快推進"。
來自美國政府的壓力是重要背景。美國商務部長Howard Lutnick本月10日出席美光紐約工廠活動時表示，希望"召喚三星電子和SK海力士來美國建設生產設施"。半導體業界普遍將這一表態解讀為，美方要求已從封裝后道工序延伸至DRAM等存儲芯片前道工序的本土化生產。
目前，SK海力士正在印第安納州投資約38.7億美元建設高帶寬存儲器（HBM）封裝生產基地，預計2028年投產。三星電子則正在德克薩斯州泰勒市推進約370億美元的先進代工廠及研發設施建設項目。
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