浙江
存儲(chǔ)芯片巨頭SK hynix首席執(zhí)行官Kwak Noh-jung近日發(fā)出嚴(yán)厲警告，稱盡管當(dāng)前消費(fèi)電子領(lǐng)域正經(jīng)歷由芯片通脹引發(fā)的動(dòng)蕩，但這并非最壞的情況。他預(yù)計(jì)，2027年將成為該行業(yè)有史以來從供應(yīng)角度來看最糟糕的一年，且客戶需求預(yù)計(jì)在2030年之后仍將持續(xù)高于公司的供應(yīng)能力。
根據(jù)行業(yè)報(bào)告顯示，2027至2028年間，存儲(chǔ)芯片相關(guān)的晶圓供應(yīng)量預(yù)計(jì)將年均增長(zhǎng)約12%，但其中約有一半的增長(zhǎng)產(chǎn)能將被高帶寬內(nèi)存所消耗。具體來看，三星預(yù)計(jì)將在2026年出貨約120億Gb的高帶寬內(nèi)存，并在2027年提升至200億Gb；而SK hynix則計(jì)劃在2026年供應(yīng)180億Gb，2027年增至240億Gb。
受此結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能分配影響，非高帶寬內(nèi)存的DRAM比特增長(zhǎng)在2027至2028年間將被嚴(yán)格限制在15%的年增長(zhǎng)率，而同期市場(chǎng)需求卻預(yù)計(jì)將飆升22%。在產(chǎn)能擴(kuò)張方面，三星的P5 Fab 1工廠計(jì)劃于2027年7月投入運(yùn)營(yíng)，P5 Fab 2及龍仁的另一座設(shè)施則預(yù)計(jì)于2029年投產(chǎn)；SK hynix的龍仁Y1工廠預(yù)計(jì)將于2027年2月上線，Y2工廠則定于2028年下半年投產(chǎn)。盡管長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃向DDR6過渡可能帶來一定的緩解作用，但其當(dāng)前的生產(chǎn)時(shí)間表以及在海外市場(chǎng)的供應(yīng)能力仍存在不確定性。
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