湖南
之前全行業(yè)都默認一條鐵律：浸潤式DUV光刻機最多只能摸到7nm芯片的門檻，再往下走5nm、3nm，必須靠EUV光刻機才能實現(xiàn)。
就連臺積電最早的初代7nm，也是用DUV多次曝光硬磨出來的，到第二代7nm就直接換成了EUV，畢竟靠DUV做7nm，工序要繞好幾倍，生產(chǎn)時間拖得很長，良率上不去，成本還高得離譜，根本不是長久之計。
至于用DUV硬做5nm、3nm，理論上不是完全行不通，但現(xiàn)實里根本沒人敢這么干。
需要反復(fù)曝光的次數(shù)多到數(shù)不過來，生產(chǎn)難度直接翻倍，最后良率低到幾乎可以忽略，成本高到連大廠都用不起，就算勉強造出幾顆樣品，也完全沒有量產(chǎn)的商業(yè)競爭力。
這也是當(dāng)初美國敢放心禁售EUV的底氣，他們篤定我們就算靠DUV硬啃，也造不出有性價比的先進芯片，根本威脅不到他們的壟斷地位。
但美國萬萬沒料到，我們根本沒按他們畫好的路線走。華為花了6年時間，靠著381顆芯片量產(chǎn)攢下的實戰(zhàn)經(jīng)驗，總結(jié)出了一套完全跳出傳統(tǒng)思路的“韜定律”。
過去行業(yè)里默認的先進路線，就是靠EUV光刻機把晶體管越縮越小，靠物理尺寸的縮小堆性能。但華為直接換了個方向：既然沒有EUV，晶體管縮不動，那就從底層器件一直到頂層系統(tǒng)全鏈路優(yōu)化，把每一段信號傳輸、數(shù)據(jù)處理的時間都壓到最短，靠提升整體效率來追平先進制程的性能。
他們還拿出了對應(yīng)的“邏輯折疊”技術(shù)，把原本平鋪的晶體管改成立體堆疊排列，不用靠縮小尺寸，也能把單位面積里的晶體管密度提上去，最終實現(xiàn)和EUV制程一樣的性能提升效果。
按照華為的規(guī)劃，2026年的旗艦機搭載的麒麟2026芯片，不用EUV光刻機，就能摸到行業(yè)里用EUV做出來的3nm芯片的同等性能。
到2031年，完全不依賴EUV的前提下，就能把晶體管密度做到400MTr/mm2以上，追平當(dāng)下用EUV實現(xiàn)的1.4nm制程水平。
這一下直接把過去幾十年芯片行業(yè)的固定路線給打破了。原來大家都擠在“靠EUV縮晶體管”這一條獨木橋上，現(xiàn)在硬生生趟出來另一條完全不同的路。
美國本來想靠卡住EUV光刻機，把我們鎖在先進芯片的門外，結(jié)果反而把我們逼得跳出了他們預(yù)設(shè)的技術(shù)框架，不用跟著別人的規(guī)則走，自己走出了一條完全自主的先進芯片路線。
現(xiàn)在沒人敢說這條路線一定會百分百順利，但至少我們已經(jīng)證明了，先進芯片從來不是只有EUV這一條路能走。
過去幾十年全球芯片行業(yè)的格局，一直被少數(shù)幾家海外廠商攥在手里，現(xiàn)在這套靠壟斷設(shè)備卡住全行業(yè)的玩法，很可能就要被我們這套新路線徹底打破，最后結(jié)果到底能走到哪一步，全行業(yè)都在等著看答案。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
