近日,光擎源(上海)科技有限公司宣布完成數(shù)千萬元種子輪融資,本輪融資由復(fù)旦科創(chuàng)與復(fù)容投資聯(lián)合出資。
光擎源全球品牌名為Nexilumen,由復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授團隊與北京大學(xué)沈波教授團隊聯(lián)合孵化成立。
公司核心技術(shù)團隊曾在《自然·通訊》上發(fā)表一項研究成果,聚焦于基于金剛石襯底的長波長InGaN Micro LED光互連平臺,將長波長InGaN Micro LED、金剛石異質(zhì)集成、轉(zhuǎn)移印刷與光通信整合為統(tǒng)一技術(shù)平臺。
光擎源的核心競爭力在于將Micro LED顯示技術(shù)與光通信技術(shù)進行深度融合。Micro LED本身具備無閾值工作、極小器件電容、優(yōu)異CMOS兼容性及天然二維可擴展性,被認(rèn)為是構(gòu)建高密度光互連架構(gòu)的理想光源。
然而,此前高速光互連研究多集中于藍(lán)、綠短波長器件,長波長黃光與紅光Micro LED因高銦含量帶來的晶格失配與極化效應(yīng),調(diào)制帶寬長期停留在數(shù)百MHz水平,難以滿足高速通信需求。
而光擎源技術(shù)團隊通過超晶格應(yīng)變釋放層與三周期量子阱的外延設(shè)計,在硅襯底上生長出高質(zhì)量的長波長InGaN外延層,再借助轉(zhuǎn)移印刷工藝將芯片集成到高熱導(dǎo)率的金剛石襯底上,并采用雙光子微透鏡制造技術(shù)收窄發(fā)散角、提升光纖耦合效率。
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圖片來源:《自然·通訊》
實測數(shù)據(jù)顯示,20μm的黃光Micro LED在電流密度僅6.25A/cm2時,電光調(diào)制帶寬可達(dá)2850.4MHz,是迄今全球已報道的同等電流密度條件下Micro LED帶寬的最高值。
在1.5 Gbps通信速率下,發(fā)射端能效低至0.056pJ/bit,創(chuàng)下當(dāng)前Micro LED光互連的最低功耗世界紀(jì)錄。
而金剛石襯底的引入更將器件溫升控制在傳統(tǒng)玻璃襯底的2%到8%,有效解決了高速運行下的熱管理痛點。
目前團隊正推進CMOS驅(qū)動電路與Micro LED陣列的單片及異質(zhì)集成,預(yù)計很快將構(gòu)建出1.6 Tbps量級的光互連系統(tǒng)樣機,為下一代AI算力集群的CPO共封裝光學(xué)與芯片間光輸入輸出提供自主可控的落地方案。
來源:復(fù)容投資、LEDinside整理
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