從百億巨虧到千億凈利，爆紅的長鑫科技是如何煉成的？

導語：十年豪賭，一朝回本。長鑫科技的上市，不僅代表著資本市場對國產DRAM存儲芯片龍頭的高度認可與期待，同時也給那些愿意沉下心來做難事、做大事的“耐心資本”頒發了一個最好的勛章。

李平/作者 礪石商業評論/出品

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業績狂飆

尚未上市敲鐘，便成當前商業界最受人矚目的企業之一。5月17日，長鑫科技更新科創板IPO招股說明書申報稿并提交相關財務資料，引發外界強烈關注。

數據顯示，2026年一季度，長鑫科技實現營收508億元，同比增長719.13%，實現歸母凈利潤247.62億元，同比大幅增長超1688%。長鑫科技同時預計，2026年1-6月，公司將實現營業收入1100億元至1200億元，同比增長612%至677%；實現歸母凈利潤500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%。市場預計，2026年全年凈利潤有望達到千億級利潤。

對于業績大幅增長的原因，長鑫科技在招股說明書中表示，2026年1-3月，受全球算力需求持續增長、全球主要廠商產能調配等因素影響，全球DRAM（動態隨機存取存儲芯片）產品供不應求，價格自2025年下半年以來持續呈現大幅上漲趨勢，同時，隨著公司產銷規模的持續增長、產品結構的持續優化，公司營業收入迅速增長。

公開資料顯示，長鑫科技設立于2016年，總部位于安徽省合肥市，主要從事動態隨機存取存儲芯片（DRAM）產品的研發、設計、生產及銷售。根據Omdia數據，按2025年第四季度DRAM銷售額統計，長鑫科技全球市場份額已增至7.67%，位居全球第四、中國第一。

2025年12月30日，長鑫科技提交科創板上市申請，并成為科創板首單預先審閱項目，保薦機構為中金公司和中信建投證券。本次IPO，長鑫科技擬募集資金295億元，主要投向存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目（75億元）、DRAM存儲器技術升級項目（180億元）、動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目（90億元）。

從營收構成上看，長鑫科技主要產品覆蓋DDR（標準雙倍數據速率內存）和 LPDDR（低功耗雙倍數據速率內存） 兩大主流系列，并且各系列均能提供當前市場主流的第四代、第五代產品，包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等。

根據公開資料，按照募資金額計算，科創板史上最大IPO為2020年上市的中芯國際，其預計募資為200億元，實際募資高達532.3億元。如果成功發行，長鑫科技將穩坐科創板歷史第二大IPO的寶座。

值得一提的是，受高昂的固定資產折舊及研發投入影響，直到2025年上半年之前，長鑫科技仍處于持續虧損之中。首版招股書數據顯示，2022年-2024年，長鑫科技分別凈虧損83.28億元、163.40億元和71.45億元，三年間累計虧損超過300億元。2025年上半年，長鑫科技仍舊出現了23.32億元的凈虧損。此后，隨著存儲行業景氣度的快速回升，長鑫科技在2025年全年成功扭虧為盈，全年實現歸母凈利潤18.75億元。

盡管二季度市場對于長鑫科技盈利能力的改善已經早有預期，但公司一季度財報的“炸裂”成績單還是令投資者深感震驚，同時帶動A股“長鑫科技概念股”集體大漲。5月18日，同花順“存儲芯片”板塊大漲近2%，合百集團、合肥城建、中山公用等直接或間接持股長鑫科技的個股也均以漲停價收盤。此外，與長鑫科技淵源頗深的兆易創新盤中也一度沖擊漲停，市值創出歷史新高，這也令其創始人朱一明成為外界關注的焦點。

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幕后功臣

長鑫科技的故事始于2016年，芯片大佬朱一明無疑是最大的幕后功臣。

資料顯示，朱一明出生于1972年，17歲便以鹽城市阜寧縣高考第二名的身份考入?清華大學物理系?，五年內相繼拿下學士與碩士學位，扎實的物理功底為其日后深耕芯片領域埋下伏筆。

清華畢業之后，朱一明遠赴美國紐約州立大學石溪分校深造，主要專注于集成電路設計與存儲芯片方向的研究，后于2000年獲紐約州立大學石溪分校電子工程碩士學位。2000年至2004年，朱一明在美國硅谷從事存儲芯片設計工作，先后任ipolicy Networks Inc.資深工程師、Monolithic System Technologies Inc.項目主管等職位，為其后續回國創業奠定了堅實基礎。

2005年，朱一明帶著深耕多年的核心技術以及湊齊的92萬美元啟動資金回國，并在清華科技園的支持下創立了北京芯技佳易微電子科技有限公司（兆易創新前身）。創業之初，兆易創新避開了由三星、海力士等巨頭壟斷的DRAM市場，選擇主攻NOR Flash這個相對小眾的利基市場。

2010年后，兆易創新SPI NOR Flash（閃存）等新品開始批量出貨，公司存儲類芯片銷量很快就突破了1億顆，營收進入快車道。2013年，兆易創新又極具前瞻性地推出了中國首款ARM Cortex-M架構的通用MCU產品（GD32系列），一舉打破了國外壟斷。2016年，兆易創新成功登陸A股，成為國內存儲芯片設計的標桿企業。

在成功攻克NOR Flash這一細分賽道后，朱一明又將目光投向了更具戰略意義的DRAM市場。2016年5月，朱一明與合肥政府達成協議，雙方聯合創立長鑫科技，全力攻堅技術壁壘極高的DRAM制造。2017年10月，兆易創新與合肥產投簽署為期5年的合作協議，雙方將在合肥經濟技術開發區聯合開展19nm制程的12英寸晶圓存儲器研發項目，項目預算約180億元人民幣，由雙方按1:4比例籌集，合肥產投承擔約144億元。

2018年1月，長鑫科技12英寸晶圓存儲器項目一期廠房建成。當年7月，長鑫科技正式宣布投產電性片，同時發布首顆中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，這也是國產DRAM史上首顆“Made in China”產品。

2019年9月，長鑫科技正式宣布首批19納米（nm）工藝的DDR4內存芯片量產，這是中國大陸首顆自主研發并實現規模生產的DRAM芯片，標志著中國在該領域正式實現“從零到一”的突破。據悉，該芯片為?8Gb DDR4?，采用?19nm級制程，與當時國際主流DDR4工藝節點（如美光、三星的1X/1Y nm）基本同步。至此，長鑫科技成為全球第四家掌握20nm以下DRAM技術的公司。

值得一提的是，在經營模式上，長鑫科技采用了IDM（垂直整合制造）模式，實現了從設計到制造的全流程自主掌控，避免了核心制造環節受制于人的“卡脖子”風險。截至目前，長鑫科技在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，產能規模位居中國第一、全球第四。

事實上，DRAM行業具有重資產投入和極強的周期性特征，前期動輒數百上千億的投入和漫長的爬坡期，天然排斥輕資產玩家。在此背景下，全球DRAM市場也呈現出被少數幾家擁有雄厚資本和技術積累的巨頭壟斷的局面，三星、海力士等巨頭均采用了IDM模式。

但需要注意的是，IDM模式雖然無需依賴外部代工廠，但同樣面臨到資本開支過高、固定資產折舊壓力以及極高的研發與技術迭代等風險。對于長鑫科技這一挑戰者來說，爬坡期背負沉重的折舊包袱一度讓公司陷入連年虧損的境地。但在朱一明孤注一擲的戰略定力與合肥國資鼎力托舉之下，長鑫科技終于跨越了重重險阻，最終迎來了命運的轉折點。

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一場豪賭

自上個世紀80年代以來，全球DRAM半導體產業就呈現出很強的周期性特征。在所謂“賺一虧二”的殘酷規律下，逆周期投資就成為DRAM行業最著名的競爭手段。以三星為代表的行業巨頭正是通過所謂“自殺式”的逆周期投資持續擴張產能，同時進一步壓低本已慘不忍睹的價格，進而迫使日本爾必達、德國奇夢達等競爭對手破產出局，并最終在需求回暖時獨享市場紅利，實現暴利回血。

在上一輪景氣周期（2020-2021年）中，由于疫情催生的居家辦公等需求，各大存儲原廠積累了大量庫存。但自2021年4月以來，隨著全球消費電子終端需求的持續下行，DRAM價格見頂回落，市場正式進入下行通道。數據顯示，2Gb DDR3顆粒合約價從2021年5月高點2.13美元暴跌至12月?0.88美元?，跌幅高達58%；現貨價更是從年初2.32美元跌至?約0.7美元?，跌幅超70%。

隨著產品價格跌破現金成本，日本爾必達無力維持運營，最終于2012年2月申請破產保護，這也宣布日本廠商全部退出了DRAM產業。至此，全球DRAM領域只剩下三星（韓國）、美光（美國）、海力士（韓國）等三家企業，全球DRAM市場格局再次迎來深刻變化。

進入到2023年，全球消費電子需求依舊低迷，這也導致DRAM和NAND閃存價格平均下滑了40%左右。作為全球存儲霸主，三星半導體業務2023年全年巨虧約800億元人民幣（14.9萬億韓元），美光和SK海力士同樣陷入了嚴重虧損。

另一方面，長鑫科技雖然在產品研發上取得了長足進步，但其工藝水平、產能規模相較行業三巨頭均處于絕對劣勢，進而導致其產品成本遠高于競爭對手。因此，在殘酷的價格戰之下，長鑫科技2023年虧損金額高達163.40億元。分產品來看，長鑫科技DDR、LPDDR兩大產品系列毛利率分別為-108.76%、-121.37%。

就在“賣一片、虧一片”的經營壓力之下，長鑫科技仍然頂著巨額虧損加速搶占市場。對此，朱一明等核心團隊明確表示，“半導體行業從來都是周期性的，只有能在低谷期活下來并且持續投入的人，才能在高潮期收獲果實。”

為了打贏這場“逆周期之戰”，長鑫科技持續推進融資擴股，先后引入國家大基金及多家地方國資的入股。其中，合肥國資在十年間為長鑫科技累計注資超過1000億元，保障了企業長達近十年的高強度研發投入，成為長鑫科技最終實現逆襲的堅強后盾。

2024年以來，隨著大模型從訓練走向推理和AI智能體應用，AI基礎設施產生了海量數據存儲與高速訪問需求，高性能DRAM、HBM（高帶寬內存）等需求迎來大爆發，存儲芯片市場迎來新一輪上升周期。2024年，長鑫科技綜合毛利率-112.71%提升至-4.03%，基本看到了盈利的曙光。

2025年下半年以來，AI、數據中心等需求的爆發帶來存儲產品市場需求不斷擴大，內存條、硬盤等產品的漲價熱潮席卷了整個市場，長鑫科技成功實現扭虧為盈。數據顯示，長鑫科技在2025年全年實現歸母凈利潤18.75億元，毛利率進一步提升至37.81%。

若按照公司上半年業績預測金額計算，長鑫科技最近四個季度（2025年Q3-2026年Q2）累計實現凈利潤542億元-612億元。有分析認為，從目前A股科技股的牛市氛圍以及長鑫科技暴漲的業績來看，其IPO后或將達到2萬億元市值級別。

作為這場“世紀豪賭”的最大出資方，合肥國資也迎來了豐厚的回報。從股權結構來看，長鑫科技目前的前五大股東分別為合肥清輝集電（21.67%）、長鑫集成（11.71%）、大基金二期（8.73%）、合肥集鑫（8.37%）和安徽省投（7.91%）。其中，長鑫集成由合肥市國資委通過合肥產投100%控股，清輝集電由合肥經開區國資體系（芯睿投資）和合肥市產投體系共同控制，合肥國資擁有絕對話語權。

此外，合肥本土國資投資體系還包括產投壹號（持股約1.85%）、合肥建長（持股約1.50%）等機構。由此計算，合肥國資至少持有長鑫科技35%的股權。若按照長鑫科技2萬億的市值估算，合肥國資或將收獲超過5000億元的賬面浮盈。

另一方面，作為長鑫科技的幕后功臣，朱一明同樣也有著豐厚的回報。數據顯示，穿透股權結構后，朱一明對長鑫科技的合計持股比例約為2.66%。隨著長鑫科技的上市兌現，朱一明的個人財富版圖將迎來史詩級的擴張。顯然，長鑫科技的上市，不僅代表著資本市場對國產DRAM存儲芯片龍頭的高度認可與期待，同時也給所有愿意沉下心來做難事、做大事的“耐心資本”頒發了一個最好的勛章。